HT63N1200ADZ_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:63A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:32mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本產(chǎn)品為1200V碳化硅N溝道場效應(yīng)晶體管（MOSFET），支持63A連續(xù)漏極電流，導(dǎo)通電阻低至32毫歐，具備優(yōu)異的導(dǎo)電性能與低損耗特性。碳化硅半導(dǎo)體材料的使用，使其在高頻開關(guān)環(huán)境下表現(xiàn)出色，同時具備良好的熱穩(wěn)定性和耐高溫能力。適用于高效電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)、儲能設(shè)備、智能電網(wǎng)相關(guān)裝置以及其他對性能與可靠性有較高要求的電子電路應(yīng)用場合。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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