GC3M0032120D_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:63A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:32mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品是一款1200V碳化硅N溝道場效應晶體管（MOSFET），具有良好的導電性能與耐壓能力。其額定漏極電流為63A，導通電阻典型值為32mΩ，有助于降低功率損耗并提升整體效率。碳化硅材料賦予器件優異的熱導率和高擊穿電場強度，支持其在高溫、高壓環境下穩定工作。該MOSFET適用于高效能電源轉換、光伏逆變系統及高頻電力電子設備，滿足對性能與可靠性有較高要求的應用場景。
