STD10N60DM2-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:6.8A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:460mR 參數(shù)4：VGS:VGS:-4/+18VV 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅場效應管具有650V的漏源電壓（VDSS）和6.8A的連續(xù)漏極電流（ID），導通電阻低至460mΩ，適用于高效率功率轉(zhuǎn)換設計。柵源電壓范圍為-4V至!8V，具備良好的開關特性與熱穩(wěn)定性。器件利用碳化硅材料優(yōu)勢，支持高頻工作，降低開關損耗，適用于高密度電源系統(tǒng)，如高效能適配器、服務器電源模塊及可再生能源逆變裝置，能夠在嚴苛環(huán)境下保持穩(wěn)定性能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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