WSJM65R260XQ-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅場效應管具備650V的漏源擊穿電壓，連續漏極電流達15A，導通電阻典型值為260mΩ，在高溫與高頻工作環境下仍能保持優異的導電性能。柵源電壓范圍為-5V至!6V，確保了器件的穩定驅動與可靠關斷。采用寬禁帶半導體材料，顯著降低開關損耗，提升系統整體能效。適用于高功率密度電源轉換裝置，如高效開關電源、太陽能逆變系統及高壓直流變換模塊，可有效提升系統效率并減小散熱設計負擔。
