MSJPF11N65-BP-HXY_TO-220F_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:15A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:260mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和15A的額定漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻（RDON）典型值為260mΩ，可有效降低導(dǎo)通損耗。柵源電壓（VGS）支持-5V至!6V范圍，確保可靠的柵極驅(qū)動控制與器件穩(wěn)定性。基于碳化硅材料的特性，該器件具備優(yōu)異的高頻開關(guān)能力、耐高溫性能及較低的反向恢復(fù)電荷。適用于高效率開關(guān)電源、直流變換模塊、光伏逆變單元及高功率密度電源系統(tǒng)，適合在高頻率、高熱應(yīng)力環(huán)境下工作的電力電子電路中使用。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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