STD16N65M2-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:15A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:260mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本款N溝道碳化硅場效應(yīng)管具有650V的漏源電壓（VDSS）和15A的連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻低至260mΩ，可有效減少導(dǎo)通損耗。柵源電壓范圍為-5V至!6V，支持穩(wěn)定可靠的柵極驅(qū)動控制。基于碳化硅材料的特性，器件具備優(yōu)異的高溫工作能力與高頻開關(guān)性能，反向恢復(fù)損耗顯著降低。適用于高效率直流-直流轉(zhuǎn)換器、不間斷電源系統(tǒng)、光伏逆變單元及高功率密度電源模塊，能夠在高電壓、高頻率工作條件下提升整體能效，滿足先進(jìn)電力電子系統(tǒng)的嚴(yán)苛設(shè)計需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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