MDDG2C120R016K3_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:120A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:16mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為N溝道碳化硅場效應管（MOSFET），具備1200V的漏源耐壓（VDSS）與120A的連續漏極電流能力（ID），導通電阻（RDON）低至16mΩ，顯著降低導通損耗并提升系統效率。基于碳化硅材料的特性，該器件具有優異的高溫穩定性和高頻工作能力，適用于高效能電源轉換、新能源發電系統、智能電網設備等高要求場景，助力實現更高功率密度與更優熱管理性能。
