P3M17040K3_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:67A 參數2：VDSS:1700V 參數3：RDON:40mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品是一款性能優異的碳化硅（SiC）N溝道場效應晶體管（MOSFET），具有高導電性和耐壓能力。其最大漏極電流ID為67A，漏源擊穿電壓VDSS為1700V，導通電阻RDON低至40mΩ，能夠在高電壓和高頻環境下實現高效、低損耗的電能轉換。適用于高功率電源系統、能源轉換設備、智能電力設施及高可靠性電子裝置，滿足對效率與穩定性要求嚴苛的應用場景。
