IV1Q12160T3_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:18A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本產(chǎn)品為1200V N溝道碳化硅場效應(yīng)管（MOSFET），采用先進(jìn)碳化硅材料工藝，具備優(yōu)異的導(dǎo)熱性與耐高溫性能。在導(dǎo)通狀態(tài)下，其漏極電流ID可達(dá)18A，導(dǎo)通電阻RDON低至160mΩ，有助于降低功率損耗并提升系統(tǒng)效率。該器件適用于高頻率、高效率的電力轉(zhuǎn)換場景，如電源適配器、充電設(shè)備及智能電網(wǎng)相關(guān)電路，為復(fù)雜工況下的穩(wěn)定運(yùn)行提供保障。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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