SP50N120CTK_TO-247-4L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:63A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:32mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本款碳化硅場效應(yīng)管（MOSFET）采用N溝道結(jié)構(gòu)，最大連續(xù)漏極電流（ID）為63A，漏源擊穿電壓（VDSS）達到1200V，具備良好的高壓耐受能力。導通電阻（RDON）為32mΩ，有助于降低導通損耗，提高整體能效。基于碳化硅材料設(shè)計，器件展現(xiàn)出優(yōu)異的熱穩(wěn)定性和快速開關(guān)特性，適用于高頻電源轉(zhuǎn)換、儲能設(shè)備及智能電網(wǎng)中的功率控制單元等高要求場景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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