YJD212080NCTG1_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:36A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:80mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為1200V高壓碳化硅N溝道場效應晶體管（MOSFET），具備出色的導通性能與高溫穩定性。其最大漏極電流ID為36A，導通電阻RDON低至80毫歐，有助于降低功率損耗，提升系統效率。碳化硅材料賦予器件優異的熱導率和高擊穿電場強度，適合應用于高頻率、高功率密度的電力電子系統。該器件可廣泛用于高效電源轉換、智能電力調控以及新能源相關設備，滿足對性能與可靠性有較高要求的電路設計需求。
