CI40N65SM_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:52A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:40mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為碳化硅N溝道場效應晶體管（MOSFET），具備優異的導電性能和高效的開關特性。其漏極電流ID可達52A，漏源擊穿電壓VDSS為650V，導通電阻RDON低至40mΩ，適用于中高功率密度的電力電子系統。該器件在高溫與高頻率工作環境下表現出良好的穩定性和耐久性，廣泛用于高效能電源轉換、可再生能源設備、智能家電及高可靠性電子系統中，滿足對能效與功率密度的雙重需求。
