IV1Q06040T4_TO-247-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:52A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:40mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為650V N溝道碳化硅場效應管（MOSFET），具有40mΩ的導通電阻，在高溫和高頻率工作條件下仍能保持穩定的性能表現。該器件可支持最大連續漏極電流達52A，適用于高效開關電源、光伏逆變系統、儲能設備以及高頻功率轉換裝置等應用。碳化硅材料的引入顯著降低了開關損耗，提升了整體能效和系統可靠性，適合用于對空間利用率和熱管理有較高要求的技術場景。
