LGE3M14120Q_TO-247-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:165A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:13mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為1200V碳化硅N溝道場效應晶體管（MOSFET），具備165A的連續漏極電流承載能力，導通電阻低至13毫歐，表現出優異的電流傳輸能力和低導通損耗。碳化硅材料的特性使其在高頻率、高效率的電力轉換系統中具有出色性能，同時具備良好的耐高溫特性和熱穩定性。適用于高性能電源變換裝置、可再生能源系統、儲能設備及其他對功率密度與系統效率有較高要求的電子電路應用場景。
