GC2M0080120D1_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:36A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:80mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為1200V N溝道碳化硅場效應管（MOSFET），具備低導通電阻（RDON）80mΩ，支持高效能功率轉換。在25℃環境下，最大連續漏極電流（ID）可達36A，適用于高頻率、高效率的電源系統設計。碳化硅材料的使用提升了器件的耐高溫性能與開關速度，有助于減小系統體積并提升整體能效。該器件廣泛應用于高效電源轉換設備中，如高密度電源適配器、光伏逆變系統及高功率密度DC-DC轉換器等場景。
