P3D06010E2_TO-252N-2L_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252N-2L 類別：碳化硅二極管 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：IF:10A 參數(shù)2：VR:650V 參數(shù)3：VF:1.37V 參數(shù)4：二極管配置:獨立式 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該碳化硅二極管采用獨立式結構，具備10A的正向平均電流（IF）和650V的反向重復峰值電壓（VR），適用于中高功率密度的電力轉換設計。其正向導通壓降（VF）低至1.37V，有效降低導通損耗，提升系統(tǒng)整體能效。得益于碳化硅材料特性，器件具有優(yōu)異的高溫工作穩(wěn)定性與極快的開關速度，反向恢復特性理想，適用于高頻開關電源、DC-DC轉換模塊、功率因數(shù)校正電路等應用，尤其適合對熱性能和轉換效率有較高要求的電子設備。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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