HT39N650AKZ_TO-247-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:39A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:60mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為N溝道碳化硅場效應管（MOSFET），具備高性能與高可靠性。其漏極電流（ID）可達39A，漏源電壓（VDSS）為650V，導通電阻（RDON）低至60mΩ，適用于高效率、高頻率的功率轉換場景。碳化硅材料的使用提升了器件的耐高溫性能與開關速度，降低了能量損耗。該MOSFET可廣泛應用于新能源、智能電網、精密電源管理及高效能電子設備中，滿足復雜工況下的穩定運行需求。
