C3M0016120K-HXY_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:120A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:16mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為1200V高壓碳化硅N溝道場效應晶體管（MOSFET），具備優異的導通與開關性能。在25℃條件下，導通電阻（RDON）低至16mΩ，支持高達120A的連續漏極電流（ID），適用于高效率、高頻電力電子系統。器件基于碳化硅材料，具備更高的熱穩定性和更低的開關損耗，可廣泛用于新能源、智能電網、精密電源及高密度功率轉換裝置中，滿足復雜工況下的性能需求。
