STF31N65M5-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:24A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:110mR 參數4：VGS:VGS:-4/+18VV 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅場效應管具備650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和24A的連續漏極電流（ID）能力，導通電阻（RDS(on)）低至110mΩ，有助于降低開關與導通損耗。柵源電壓范圍為-4V至!8V，支持穩定可靠的柵極驅動控制。采用寬禁帶半導體材料，具有優異的高頻、高溫工作性能，適用于高效率電源轉換設計。典型應用包括高密度開關電源、光伏逆變裝置、儲能系統中的功率變換模塊以及需要高耐壓與低損耗特性的電力電子電路。
