SIHD240N65E-GE3-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:160mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和20A的額定漏極電流（ID），導通電阻（RDON）為160mΩ，有助于減少導通損耗并提升系統效率。柵源電壓（VGS）支持-5V至!6V范圍，確保開關動作的穩定性與可靠性。采用碳化硅材料，器件具有優異的耐高溫性能和快速開關特性，適用于高頻率、高效率的電力轉換場景。典型應用涵蓋高壓電源、可再生能源逆變系統、儲能設備中的功率變換模塊，以及對功率密度和熱管理有較高要求的電子設備。
