P3D06008G2_TO-263N_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263N 類別：碳化硅二極管 最小包裝：800/圓盤 參數1：IF:8A 參數2：VR:650V 參數3：VF:1.42V 參數4：二極管配置:獨立式 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該碳化硅二極管采用獨立式配置，具備8A的正向電流（IF）和650V的反向重復峰值電壓（VR），正向壓降低至1.42V。器件利用碳化硅材料特性，實現快速開關響應與高工作溫度能力，反向恢復特性優異，可有效降低開關損耗。適用于高效率直流-直流轉換、功率因數校正電路及高壓電源模塊，在高頻開關電源與可再生能源逆變系統中表現出良好的穩定性和可靠性，有助于提升整體能效并減小散熱設計負擔。
