IPA60R360P7S-HXY_TO-220F_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:15A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:260mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET額定漏源電壓為650V，連續(xù)漏極電流達(dá)15A，導(dǎo)通電阻為260mΩ，有助于降低導(dǎo)通損耗并提升系統(tǒng)效率。柵源電壓范圍-5V至!6V，支持穩(wěn)定的柵極驅(qū)動(dòng)與器件控制?；谔蓟璨牧系奶匦裕撈骷邆鋬?yōu)異的高溫工作能力、高頻開關(guān)性能及抗熱失效特性，適用于高功率密度電源系統(tǒng)。典型應(yīng)用場(chǎng)景包括高效開關(guān)電源、不間斷電源（UPS）、可再生能源逆變裝置、高密度電源適配器以及儲(chǔ)能系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換電路。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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