S4D02120E_TO-252N-2L_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252N-2L 類別：碳化硅二極管 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：IF:2A 參數(shù)2：VR:1200V 參數(shù)3：VF:1.36V 參數(shù)4：二極管配置:獨(dú)立式 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該碳化硅二極管為獨(dú)立式器件，具備2A的連續(xù)正向電流（IF）和1200V的反向重復(fù)峰值電壓（VR），正向壓降（VF）典型值為1.36V。采用碳化硅材料，具有優(yōu)異的高溫穩(wěn)定性和高開關(guān)速度，反向恢復(fù)特性近乎理想，可顯著降低開關(guān)損耗。其高耐壓與低導(dǎo)通損耗的組合，適用于高效率、高頻率的電力轉(zhuǎn)換場景。常見應(yīng)用于高壓直流電源、開關(guān)模式電源、光伏逆變器以及對能效和熱管理要求較高的緊湊型電力電子裝置中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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