TSD65R550_TO-252-2L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:6.8A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:460mR 參數(shù)4：VGS:VGS:-4/+18VV 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的漏源擊穿電壓（VDSS）為650V，連續(xù)漏極電流（ID）達6.8A，導(dǎo)通電阻（RDON）為460mΩ，有助于降低導(dǎo)通損耗，提高系統(tǒng)效率。柵源電壓范圍（VGS）為-4V至!8V，具備良好的驅(qū)動兼容性與穩(wěn)定性。基于碳化硅材料的特性，器件支持高頻開關(guān)操作，具有優(yōu)異的熱性能和可靠性。適用于高效率開關(guān)電源、太陽能逆變裝置、儲能系統(tǒng)中的功率轉(zhuǎn)換模塊以及高密度電源適配器等應(yīng)用，尤其適合對散熱設(shè)計和空間布局有較高要求的電力電子設(shè)備。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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