NCE65T540K_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:6.8A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:460mR 參數4：VGS:VGS:-4/+18VV 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備6.8A的連續漏極電流（ID）和650V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDON）低至460mΩ，有助于降低導通損耗，提升能效。柵源電壓范圍為-4V至!8V，支持穩定的開關控制與抗干擾能力。基于碳化硅材料特性，器件具有優異的高溫工作性能和快速開關響應，適用于高頻率、高效率的電力轉換電路。典型應用包括高效電源適配器、不間斷電源系統、可再生能源發電中的逆變裝置以及高功率密度DC-DC變換器，滿足對熱管理與系統緊湊性要求較高的設計需求。
