HXY60P02BDF_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:20V 參數3：RDON:7mR 參數4：TYPE:P-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該P溝道場效應管具有20V的漏源額定電壓（VDSS），連續漏極電流可達60A，導通電阻低至7mΩ，在低電壓開關應用中表現出較低的導通損耗。其P溝道結構適用于高邊開關配置，能夠簡化柵極驅動電路設計。器件在導通狀態下具備良好的電流承載能力，適合用于電源管理、電池供電設備的負載切換、直流電源控制等場景。低RDSON有助于提升能效，減少發熱，適用于對空間和散熱要求較高的緊湊型電子設備中的功率開關應用。
