HXY20P06AD_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:60V 參數3：RDON:55mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該P溝道場效應管（MOSFET）具有60V的漏源電壓（VDSS）和20A的連續漏極電流（ID），適用于中高電壓功率開關應用。其導通電阻為55mΩ（RDON），在同類P溝道器件中具備較好的導通性能，有助于降低功率損耗。支持最高20V的柵源電壓（VGS），提供可靠的柵極驅動耐壓能力。由于較高的電壓額定值和較強的電流處理能力，可用于直流電源轉換、電池管理系統中的反向電流保護、高端開關電路以及各類便攜式電子設備的電源管理模塊，滿足對穩定性和效率要求較高的設計需求。
