HXY50N06BD_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:50A 參數(shù)2：VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:15mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場效應(yīng)管具有60V漏源電壓（VDSS）和20V柵源電壓（VGS）的耐壓能力，適用于中高電壓功率切換應(yīng)用。其連續(xù)漏極電流可達(dá)50A，導(dǎo)通電阻為15mΩ，在高負(fù)載條件下仍能保持較低的導(dǎo)通損耗。器件具備良好的開關(guān)特性和熱性能，適合用于開關(guān)電源、直流-直流轉(zhuǎn)換器、電池管理系統(tǒng)中的功率控制，以及高效率電機(jī)驅(qū)動電路，可滿足對功率密度和能效有較高要求的電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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