HXY150N03NF-B_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:150A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:2mR 參數(shù)4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道場效應(yīng)管具有30V的漏源電壓（VDSS）和20V的柵源電壓（VGS），適用于中等電壓開關(guān)應(yīng)用。其連續(xù)漏極電流（ID）可達150A，導(dǎo)通電阻（RDON）低至2mΩ，有助于減少導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)效率。低RDON特性使其在大電流工作條件下仍能保持較低溫升，適用于高密度電源轉(zhuǎn)換、高效DC-DC變換模塊及高性能電機驅(qū)動電路中的功率開關(guān)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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