HXY30N10BD_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:30A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:37mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管額定漏源電壓為100V（VDSS），可承受較高電壓應力，適用于升壓或高壓直流電源環境。在20V柵源電壓（VGS）驅動下，導通電阻為37mΩ，支持30A連續漏極電流（ID），具備良好的導通能力與熱穩定性。其開關特性適合用于高頻率功率轉換電路，如開關電源、適配器及電池管理系統中的主開關元件。器件能夠在高電壓條件下實現較低能量損耗，適用于對效率和可靠性有要求的電源架構，尤其適合集成于緊湊型電子設備的功率級設計中。
