HESDUC5VB1AF-E_DFN1006-2L_靜電和浪涌保護(TVS/ESD)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-2L 類別：靜電和浪涌保護(TVS/ESD) 最小包裝：10000/圓盤 參數1：IPP:4A 參數2：VRWM:5V 參數3：CJ:0.25pF 參數4：LINE:1-channel 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該靜電與浪涌保護器件采用單通道雙向設計，具備4A的峰值脈沖電流承受能力，可有效泄放瞬態過電壓能量。反向工作電壓為5V，適用于低電壓電路保護。其結電容僅為0.25pF，能最大限度減少對高速信號完整性的影響，適合高頻傳輸線路。雙向拓撲結構可抑制正負極性瞬態干擾，常用于通信接口、便攜式電子設備及高密度電路中，為敏感元件提供穩定可靠的過壓防護。
