HXYG40N10D_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:40A 參數(shù)2：VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:20mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場效應(yīng)管具有100V的漏源額定電壓（VDSS），可承受40A的連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻低至20mΩ，有助于減少功率損耗并提升系統(tǒng)效率。其低RDON特性使其在大電流開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色，適用于需要高效能電源管理的設(shè)備。器件基于MOSFET技術(shù)，具備良好的熱穩(wěn)定性和快速開關(guān)響應(yīng)能力，廣泛用于各類直流-直流轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及高密度電源模塊等場景，是現(xiàn)代電子系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)高效能量控制的關(guān)鍵元件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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