HXY1N65MIS_SOT-223_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-223 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:1A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:9500mR 參數(shù)4：VGS:30V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場效應(yīng)管具有650V的漏源電壓（VDSS）和30V的柵源電壓（VGS）能力，可承載1A的連續(xù)漏極電流（ID）。其導(dǎo)通電阻（RDSON）為9.5Ω，在同類高耐壓器件中具備合理的導(dǎo)通性能。適用于高壓小電流開關(guān)應(yīng)用，如電源待機(jī)電路、高壓信號(hào)切換、小型化適配器及電池供電系統(tǒng)的電壓控制模塊。憑借高擊穿電壓特性，可用于隔離控制與直流負(fù)載驅(qū)動(dòng)，滿足對安全性和空間布局有要求的低功耗功率管理場景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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