HXY7002UI_SOT-363_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-363 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：ID:0.1A 參數2：VDSS:60V 參數3：RDON:1300mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該場效應管采用NN溝道設計，適用于需要雙MOSFET配置的電路方案。其漏極電流ID為0.1A，漏源電壓VDSS達60V，可支持最高20V的柵源電壓VGS，導通電阻RDON為1300mΩ，有助于降低開關損耗，提升能效。器件具備良好的開關特性與熱穩定性，適合在電源管理、直流轉換、負載開關及信號控制等電路中作為功率開關元件使用，廣泛應用于便攜設備、通信模塊、小型電子裝置中的電壓調節與電路驅動場景，滿足多種低功耗應用對小型化與高效率的需求。
