HXY3N10MI_SOT-23-3L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：ID:2.2A 參數(shù)2：VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:230mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場(chǎng)效應(yīng)管具有100V漏源電壓（VDSS）和20V柵源電壓（VGS）耐壓能力，適用于中高壓開關(guān)應(yīng)用。在20V柵壓驅(qū)動(dòng)下，可承載2.2A連續(xù)漏極電流，導(dǎo)通電阻為230mΩ，具備良好的導(dǎo)通特性。器件開關(guān)響應(yīng)迅速，柵極電荷較低，有利于提升高頻工作下的轉(zhuǎn)換效率。其結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)兼顧了電壓耐受與導(dǎo)通損耗的平衡，適合用于開關(guān)電源、DC-DC變換器、LED驅(qū)動(dòng)電路、電池供電設(shè)備的電源管理模塊以及小型電子設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)等應(yīng)用場(chǎng)景，滿足對(duì)穩(wěn)定性和能效的基本要求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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