HESDUC3V3B1GF-C_DFN0603-2L_靜電和浪涌保護(TVS/ESD)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN0603-2L 類別：靜電和浪涌保護(TVS/ESD) 最小包裝：15000/圓盤 參數1：IPP:4A 參數2：VRWM:3.3V 參數3：CJ:0.25pF 參數4：LINE:1-channel 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該雙向ESD保護二極管專為低電壓信號線路設計，具備3.3V的反向工作電壓（VRWM）和4A的峰值脈沖電流（IPP）承受能力，可有效抑制靜電放電及瞬態浪涌。其結電容低至0.25pF，對高速信號完整性影響極小，適用于高頻數據傳輸接口。單通道結構便于集成于緊湊型電路布局，雙向特性可應對正負向瞬態電壓沖擊。常用于消費類電子設備中的USB、HDMI、音頻及射頻等敏感線路，為高精度模擬與高速數字電路提供可靠防護。
