HXYS68N120T6_TO-263-7L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263-7L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:68A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:40mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅場效應管具備1200V的漏源擊穿電壓，連續漏極電流達68A，導通電阻為40mΩ，適用于高電壓、大電流的功率轉換場合。基于碳化硅材料特性，器件具有優異的開關速度與高溫穩定性，可顯著提升系統能效并減少散熱需求。典型應用包括高壓直流變換器、大功率逆變裝置、儲能系統中的電力調節模塊以及對空間和效率有較高要求的電源解決方案。
