HXY11N40P_TO-220C_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:11A 參數(shù)2：VDSS:400V 參數(shù)3：RDON:360mR 參數(shù)4：VGS:30V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場效應(yīng)管具備400V漏源耐壓（VDSS）和30V柵源電壓范圍（VGS），持續(xù)漏極電流可達(dá)11A，導(dǎo)通電阻低至360mΩ，有助于減少導(dǎo)通損耗并提升系統(tǒng)效率。器件在高頻率開關(guān)條件下表現(xiàn)出良好的穩(wěn)定性，適用于中高功率電源管理系統(tǒng)。常見于開關(guān)電源、逆變電路、LED驅(qū)動電源及電池供電設(shè)備的功率轉(zhuǎn)換模塊，作為核心開關(guān)元件實(shí)現(xiàn)高效的電能變換與控制，滿足對熱性能和電氣可靠性要求較高的設(shè)計(jì)需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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