HXYS120N65MP_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:120A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:15mR 參數4：VGS:15V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅場效應管具有650V漏源電壓額定值，最大連續漏極電流達120A，導通電阻低至15mΩ，在15V柵源電壓下可實現充分導通。采用碳化硅材料，具備優異的高頻開關能力與熱穩定性，顯著降低導通和開關損耗。其低寄生電感封裝設計有助于提升開關速度，減少電壓過沖。適用于高效率電源轉換裝置，如大功率DC-DC變換器、不間斷電源、可再生能源發電逆變系統及高密度功率因數校正電路，適合對能效、功率密度和系統可靠性有較高要求的應用場景。
