HXY30G20NF_DFN5X6B-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6B-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:16A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:14mR 參數(shù)4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該場效應(yīng)管為NP溝道組合型器件，具備16A的漏極電流（ID）和30V的漏源耐壓（VDSS），適用于中低電壓功率切換應(yīng)用。其導通電阻低至14mΩ（RDON），可有效降低導通損耗，提高電源轉(zhuǎn)換效率。柵源電壓范圍達±20V（VGS），具備良好的驅(qū)動兼容性與穩(wěn)定性。N溝道與P溝道集成結(jié)構(gòu)支持對稱開關(guān)控制與雙向電流管理，常用于同步整流、電源路徑切換、電池供電設(shè)備的電源管理模塊以及高性能DC-DC變換電路，適合對能效和封裝密度有要求的設(shè)計場景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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