HXYY10N65JF_DFN8X8_氮化鎵晶體管(GaN HEMT)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8 類別：氮化鎵晶體管(GaN HEMT) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:10A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:160mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）采用N溝道結構，具備650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和10A的連續漏極電流（ID）能力，導通電阻（RDON）為160mΩ。基于氮化鎵材料特性，器件具有更高的開關頻率與更低的導通損耗，適用于高功率密度電源設計。其快速開關響應和優異的熱性能，使其廣泛應用于高效開關電源、高密度適配器、無線充電發射端電路以及服務器級電源模塊等對效率與體積要求嚴苛的先進電子系統中。
