HXY4N50P_TO-220C_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:4.5A 參數(shù)2：VDSS:500V 參數(shù)3：RDON:1200mR 參數(shù)4：VGS:30V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場效應(yīng)管具有500V的漏源擊穿電壓（VDSS）和30V的柵源電壓（VGS），持續(xù)漏極電流為4.5A，導(dǎo)通電阻為1200mΩ。較高的電壓耐受能力使其適用于高壓開關(guān)場景，能夠穩(wěn)定工作在較高的直流電壓環(huán)境下。器件在電源管理電路中常用于實(shí)現(xiàn)高效的開關(guān)控制，典型應(yīng)用包括開關(guān)模式電源、DC-AC逆變器、LED照明驅(qū)動(dòng)電源以及高電壓降壓轉(zhuǎn)換電路，適合對電氣隔離與工作穩(wěn)定性有一定要求的中功率電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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