HXY3401BMI_SOT-23-3L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：ID:4.2A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:41mR 參數4：VGS:12V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該P溝道場效應管具有30V的漏源電壓（VDSS）和12V的柵源電壓（VGS），連續漏極電流可達4.2A，導通電阻低至41mΩ。低RDON有助于減少功率損耗，提升系統效率。適用于各類直流電源管理電路、負載開關控制及電池供電設備中的功率切換應用。器件具備良好的熱穩定性和開關特性，適合在緊湊型電子設備中實現高效的反向電流阻斷與電源路徑管理，滿足高性能數字系統對電源模塊小型化與低功耗的設計需求。
