HXY2301CI_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：ID:2.5A 參數2：VDSS:20V 參數3：RDON:100mR 參數4：VGS:12V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該P溝道場效應管具備20V漏源電壓（VDSS）和12V柵源電壓（VGS），持續漏極電流為2.5A，導通電阻典型值為100mΩ。較低的RDSON有助于降低導通損耗，提高電源轉換效率。適用于便攜式電子設備、電池供電系統、電源開關電路及負載管理模塊中的電壓控制。20V耐壓適配中低電壓工作環境，12V柵壓可兼容多種驅動電路，實現穩定可靠的開關功能。器件在直流電機控制、電源逆變及同步整流等場景中具備良好表現，滿足高密度電路設計對小型化與高效能的需求。
