HXY12N10D_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:12A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:95mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管具備100V漏源電壓（VDSS）和20V柵源電壓（VGS）耐受能力，適用于中等電壓功率控制場景。其導通電阻（RDON）低至95mΩ，在12A連續漏極電流（ID）下可有效降低導通損耗，提升系統能效。器件具有良好的開關特性和熱穩定性，常用于直流電源管理、電池供電設備的功率切換、LED驅動電路以及各類消費類電子產品的開關電源模塊中，適合對導通電阻和空間布局有較高要求的緊湊型高效率功率設計。
