HXY20N04D_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:40V 參數3：RDON:25mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管具有40V的漏源耐壓（VDSS）和20V的柵源電壓范圍（VGS），可承受連續漏極電流（ID）達20A，導通電阻（RDON）低至25mΩ，有助于減少功率損耗并提升系統效率。器件適用于中高功率開關應用，如電源轉換模塊、直流電機驅動電路以及電池供電設備中的功率控制單元。其低導通電阻與較高電流能力使其在緊湊型設計中表現出良好的熱穩定性和電性能，適合對能效和空間布局有要求的嵌入式電子系統使用。
