HXY30P09MI_SOT-23-3L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：ID:9A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:20mR 參數4：VGS:12V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這是一款P溝道場效應管（MOSFET），具備30V漏源耐壓（VDSS）和12V柵源電壓（VGS）能力，連續漏極電流（ID）為9A，導通電阻低至20mΩ。低RDON有助于減少功率損耗，提升系統能效。該器件適用于中低電壓電源開關應用，如便攜式電子設備的電池管理電路、直流電機驅動、負載開關模塊以及同步整流電路。其P溝道結構便于柵極驅動設計，適合用于高側開關配置，在需要簡潔控制邏輯的電源通斷與極性轉換場景中表現穩定，是緊湊型電源系統中的常用功率元件。
