HXYT140N120MPC_TO-247P_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247P 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：集電極電流(Ic):140A 參數(shù)2：集射極擊穿電壓(Vces):1200V 參數(shù)3：集射極飽和電壓(VCE(sat)):1.55V 參數(shù)4：二極管正向電流(IF):140A 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
-------<點(diǎn)擊了解更多 + 購買>-------
該IGBT模塊具有140A的集電極電流承載能力，集射極擊穿電壓高達(dá)1200V，適用于高電壓工作環(huán)境。其集射極飽和電壓為1.55V，配合額定140A的反并聯(lián)二極管（正向壓降2.01V），可支持大電流雙向?qū)ㄐ枨蟆Ｆ骷邆漭^強(qiáng)的耐壓與熱穩(wěn)定性，適用于高壓直流變換、逆變電源及大功率能量管理系統(tǒng)中的開關(guān)與續(xù)流環(huán)節(jié)，能夠滿足對(duì)效率和可靠性要求較高的電力電子拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)應(yīng)用。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
