HXY10P06MIS_SOT-223_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-223 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：1000/圓盤 參數1：ID:10A 參數2：VDSS:60V 參數3：RDON:72mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該P溝道場效應管具備60V的漏源電壓（VDSS）和10A的連續漏極電流（ID），導通電阻低至72mΩ（RDS(ON)），有助于降低功率損耗，提升系統能效。柵源電壓范圍為±20V，支持穩定的柵極驅動控制。作為P溝道器件，其在高邊開關和負載切換應用中具備電路設計簡潔的優勢。適用于各類電源管理模塊、便攜式設備電源控制、電池供電系統及直流負載的開關驅動，廣泛用于需要高效、緊湊功率開關解決方案的電子裝置中。
