HXY30P20BF_DFN2X2B-6L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN2X2B-6L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:13mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這是一款P溝道場效應管（MOSFET），漏源電壓（VDSS）為30V，柵源電壓（VGS）可達20V，連續漏極電流（ID）為20A，導通電阻低至13mΩ。低RDON特性顯著降低導通損耗，有助于提高電源轉換效率并減少散熱需求。該器件適用于中等電流功率開關應用，如直流電源管理系統、電池供電設備的電源切換、負載控制電路以及同步整流模塊。其P溝道結構適合高側開關設計，驅動電路相對簡潔，可在對能效和空間布局有要求的電子裝置中實現可靠的功率控制功能。
